Preparación y análisis de películas amorfas de (SiC)1-x(AlN)x:H usando los procesos de magnetrón sputtering y de deposición por láser pulsado

Preparación y análisis de películas amorfas de (SiC)1-x(AlN)x:H usando los procesos de magnetrón sputtering y de deposición por láser pulsado

Montaje y calibración de un medidor de espesores para su uso en la manufactura de películas delgadas semiconductoras de carburo de silicio y nitruro de silicio dopadas con tierras raras para su aplicación en optoelectrónica

Las películas delgadas de carburo de silicio y nitruro de aluminio dopadas con tierras raras presentan interesantes propiedades ópticas y eléctricas que las hacen potencialmente útiles en la fabricación de diversos dispositivos optoelectrónicos. Las propiedades ópticas y eléctricas de estos materiales pueden variar dependiendo del método y de las condiciones de síntesis. En tal sentido, se ha generado un gran interés en el desarrollo de métodos utilizados, sencillos y económicos para la síntesis de películas delgadas de carburo de silicio y nitruro de aluminio. Con el uso de estos métodos se espera obtener materiales con nuevas o mejores propiedades ópticas que los que ya están comercialmente disponibles. En esta línea, se trabaja actualmente en la complementación de un sistema de alto vacío para la síntesis de películas delgadas de carburo de silicio, nitruro de aluminio dopadas con tierras raras y mezclas de los mismos por el método de RF magnetrón sputtering, así como la caracterización óptica, eléctrica y estructural de estos materiales. El presente proyecto busca implementar en la cámara de alto vacío un medidor de espesores de películas delgadas con el fin de medir en tiempo real la velocidad de crecimiento de las películas delgadas, como uno de los parámetros más importantes de caracterización. La implementación del medidor de espesores consta de la compra, montaje y calibración del mismo. Este último es el objetivo central del proyecto. La calibración consta de la toma de datos de los parámetros involucrados en el crecimiento de las películas delgadas semiconductoras bajo diferentes condiciones controladas y para cada material, junto con la posterior medición del espesor de las películas delgadas por otros instrumentos ya calibrados pero que no son posibles de tener in situ (SEM, espectrofotómetro, etc.). La obtención de una tabla con los parámetros más importantes involucrados en el crecimiento de películas delgadas de carburo de silicio, nitruro de a

AUTOMATIZACION DEL PROCESO DE MANUFACTURA DE PELICULAS DELGADAS EN ALTO VACIO PARA SU EMPLESO EN LA INDUSTRIA

El proyecto realizado permitió el cambio de las válvulas manuales a electro neumáticas/magnéticas, la implementación del soporte giratorio de los substratos (caliote) y el manejo de los sistemas de bombeo, limpieza por plasma, evaporación, rotación de substratos, monitoreo del espesor y monitoreo de la presión por interface con la computadora. Obteniéndose como resultado la manufactura de los primeros espejos de primera superficie, divisores de haz y filtros interferenciales.

Desarrollo de películas delgadas dieléctricas para la obtención de recubrimientos antirreflectantes en elementos ópticos

Desarrollo de películas delgadas dieléctricas para la obtención de recubrimientos antirreflectantes en elementos ópticos.

MEDIDA DE L A RESISTIVIDAD ESPECIFICA EN SILICIO 100 PASIVADO CON HF

Óptica integrada: desarrollo y evaluación de micro guías ópticas obtenidas por difusión metálica

Óptica integrada: desarrollo y evaluación de micro guías ópticas obtenidas por difusión metálica. El proyecto permitió evaluar y optimizar el sistema de bombeo (bombas mecánica y difusora, tubos rígidos y flexibles) para modificar la cámara de alto vacío de una cámara de vidrio de 10 litros a una cámara de metal con capacidad de 120 litros.

ESTUDIO DEL INDICE DE REFRACCION Y ESPESOR FISICO DE PELICULAS DELGADAS EN GRANDES SUPERFCIES

SISTEMAS DE ALTO VACIO