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Se estudiarán fases topológicas en estados de polarización, partiendo de la fase de Pancharatnam, la cual se compone de una fase dinámica y otra geométrica. Cuando la fase dinámica es nula la fase de Pancharatnam coincide con la geométrica. Esta última tiene una serie de característcas topológicas que intentaremos poner de manifiesto. Para ello, nos proponemos diseñar experimentos en los que se cambie la polarización de un haz láser, de modo que cuando el cambio se representa en la esfera de Poincaré, el camino seguido sea paralelo al ecuador. Normalmente se eligen caminos que coinciden con un círculo máximo (geodésica). Eligiendo caminos como los que proponemos se podrá poner de manifiesto de manera no trivial, entre otras cosas, la invariancia gauge de la fase. Nos proponemos hacer no solo el diseño sino también el montaje y ejecución de los experimentos.
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Las películas delgadas de carburo de silicio y nitruro de aluminio dopadas con tierras raras presentan interesantes propiedades ópticas y eléctricas que las hacen potencialmente útiles en la fabricación de diversos dispositivos optoelectrónicos. Las propiedades ópticas y eléctricas de estos materiales pueden variar dependiendo del método y de las condiciones de síntesis. En tal sentido, se ha generado un gran interés en el desarrollo de métodos utilizados, sencillos y económicos para la síntesis de películas delgadas de carburo de silicio y nitruro de aluminio. Con el uso de estos métodos se espera obtener materiales con nuevas o mejores propiedades ópticas que los que ya están comercialmente disponibles. En esta línea, se trabaja actualmente en la complementación de un sistema de alto vacío para la síntesis de películas delgadas de carburo de silicio, nitruro de aluminio dopadas con tierras raras y mezclas de los mismos por el método de RF magnetrón sputtering, así como la caracterización óptica, eléctrica y estructural de estos materiales. El presente proyecto busca implementar en la cámara de alto vacío un medidor de espesores de películas delgadas con el fin de medir en tiempo real la velocidad de crecimiento de las películas delgadas, como uno de los parámetros más importantes de caracterización. La implementación del medidor de espesores consta de la compra, montaje y calibración del mismo. Este último es el objetivo central del proyecto. La calibración consta de la toma de datos de los parámetros involucrados en el crecimiento de las películas delgadas semiconductoras bajo diferentes condiciones controladas y para cada material, junto con la posterior medición del espesor de las películas delgadas por otros instrumentos ya calibrados pero que no son posibles de tener in situ (SEM, espectrofotómetro, etc.). La obtención de una tabla con los parámetros más importantes involucrados en el crecimiento de películas delgadas de carburo de silicio, nitruro de a
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En el proyecto se investigan diversas propiedades de la difusión anómala, la cual tiene lugar cuando el proceso de difusión se da no en un medio homogéneo, sino en uno que presenta una estructura fractal o percolativa. Medios porosos tales como el concreto armado, o los suelos, son casos de particular interés, cuyas características fundamentales se buscará modelar mediante modelos computacionales y objetos reales construidos a partir de estos últimos. Algunas propiedades de la difusión anómala pueden ser predichas en base a la teoría de percolación y de exponentes críticos, otras en base a la solución de ecuaciones diferenciales ¿fraccionales¿. Las predicciones teóricas pueden ser contrastadas con experimentos relativamente sencillos que serán materia del presente proyecto. Dichos experimentos se harán midiendo propiedades de conductividad térmica y podrán compararse con otros recientemente realizados, en los que se mide la difusión anómala de protones por métodos de resonancia magnética nuclear. Se intentará obtener resultados de utilidad para el mejor entendimiento del fenómeno de difusión de cloruros en concreto armado.
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