Se encontraron 4 investigaciones en el año 2014
La propuesta está orientada a la consolidación de un grupo de investigadores en el país especializados en ciencia e ingeniería de materiales avanzados y de estructura artificial, dispuestos a compartir experiencias y facilidades en investigaciones multidisciplinarias. El círculo está integrado por investigadores de la Facultad de Ciencias Físicas de la Universidad Nacional Mayor de San Marcos (institución principal), de la sección de Física de la Pontificia Universidad Católica del Perú, la Universidad Peruana Cayetano Heredia y la Universidad Nacional José María Arguedas de Andahuaylas (Dpt. Acad. de Ing. y Tecnología Agroindustrial). Las investigaciones harán énfasis en la producción y caracterización de nano-materiales, la determinación de sus propiedades, el modelaje de la fenomenología, las aplicaciones tecnológicas en el sector productivo (industrias metalúrgicas, mineras, metal-mecánicas, agro-industrial), así como en terapias biomédicas en oncología, recubrimientos en implantes dentales y ortopédicos, administración de fármacos y espintrónica. El orden nanométrico del tamaño de los granos produce el aumento relativo de la contribución de los átomos de las superficies y contorno de granos; los cuales poseen orden y coordinación locales, campo cristalino, anisotropía magnética, densidad de espines diferentes a los del interior de los granos. De esta manera, controlando la estructura, estabilidad y propiedades de las interfaces se mejora el desempeño de los materiales.
Participantes:
Instituciones participantes:
Los materiales con un amplio ancho de banda como nitruro de silicio (Si3N4) o nitruro de aluminio (AlN) son de creciente interés en investigación y desarrollo para aplicaciones ópticas. Esto se debe a que estos materiales exhiben propiedades como un alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica, en contraste con los semiconductores usuales como GaAs y Si. Adicionalmente, un amplio ancho de banda permite la transmisión de luz en el espectro visible, esta característica no solo es atractiva en un semiconductor, sino que al dopar estos semiconductores con iones de tierras raras también permiten la emisión de luz a temperatura de ambiente, cubriendo por ejemplo los colores básicos azul (Tm3+), verde (Tb3+) y rojo (Eu3+). De otro lado, es posible hacer ¿ingeniería del ancho de banda¿, variando la proporción (x) de los materiales como por ejemplo en el compuesto Al1-xSixN. Ello abre la posibilidad de manipular las propiedades de emisión, como ya fue demostrado por otro grupo en el sistema Al1-xGaxN y por nuestro grupo en el sistema (SiC)1-x(AlN)x. Las contrapartes amorfas (a-SiC, a-SiN y a-AlN) tienen la ventaja de ser producidas de manera simple y menos costosa que las cristalinas, sin la desventaja de perder importantes propiedades propias de los cristales. Adicionalmente, hay aspectos que difieren del caso cristalino. Por ejemplo, el carácter indirecto de las transiciones en c Si3N4 está ausente en el caso amorfo, por lo que las aplicaciones en optoelectrónica parecen prometedoras. En el caso de a-AlN incluso sería posible pensar en aplicaciones cerca de la región ultravioleta, debido a su amplio ancho de banda, de 6 eV.
Participantes:
Instituciones participantes:
Los materiales con un amplio ancho de banda como nitruro de silicio (Si3N4) o nitruro de aluminio (AlN) son de creciente interés en investigación y desarrollo para aplicaciones ópticas. Esto se debe a que estos materiales exhiben propiedades como un alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica, en contraste con los semiconductores usuales GaAs y Si. Adicionalmente, un amplio ancho de banda permite la transmisión de luz en el espectro visible, esta característica no solo es atractiva en un semiconductor, sino que al dopar estos semiconductores con iones de tierras raras también permiten la emisión de luz a temperatura de ambiente, cubriendo por ejemplo los colores básicos azul (Tm3+), verde (Tb3+) y rojo (Eu3+). De otro lado, es posible hacer ¿ingeniería del ancho de banda¿, variando la proporción (x) de los materiales como por ejemplo en el compuesto Al1 xSixN. Ello abre la posibilidad de manipular las propiedades de emisión, como ya fue demostrado por otro grupo en el sistema Al1-xGaxN y por nuestro grupo en el sistema (SiC)1-x(AlN)x. Las contrapartes amorfas (a-SiC, a-SiN y a-AlN) tienen la ventaja de ser producidas de manera simple y menos costosa que las cristalinas, sin la desventaja de perder importantes propiedades propias de los cristales. Adicionalmente, hay aspectos que difieren del caso cristalino. Por ejemplo, el carácter indirecto de las transiciones en c Si3N4 está ausente en el caso amorfo, por lo que las aplicaciones en optoelectrónica parecen prometedoras. En el caso de a-AlN incluso sería posible pensar en aplicaciones cerca de la región ultravioleta, debido a su amplio ancho de banda, de 6 eV.
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In this project, we study the relation between the electronic defects of the host matrix and the RE activation upon thermal treatments following the previous contribution of Janotta but for the Terbium doped wide bandgap semiconductors SiC:H, AlN, and SiN. Using the RF magnetron sputtering system at the physics section in the PUCP, Terbium doped SiC:H, AlN and SiN will be grown. For this, the optimal parameters for the thickness, Terbium concentration and bandgap are found. Thenceforward, the optical bandgap, electronic density of states and their variation upon thermal annealing treatments are of interest and therefore are our main objective in this project. The application and adaptation of the general theory for the emission of REs is developed resulting in the numerical modeling of the observed emission of the samples produced.
Participantes:
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